- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字：
3D NAND 集邦咨詢
- 怎么證明企業對某個市場的未來充滿信心？頻繁來華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷售預期一邊減少研發團隊？或者是縮減產能加大宣傳力度？商業行為還真是要靠真金白銀才能體現誠意，對中國市場最有信心的表示當然是加大中國市場的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工，該項目是2020年以來國外半導體企業在國內最大的工廠投資建設工程。據悉，這個項目除了加建新廠房，還會引入全新產線，制造更廣泛的產品解決方案，例如移動DRAM、N
- 關鍵字：
美光 DRAM
- IT之家 3 月 14 日消息，據韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產 HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
- 關鍵字：
三星 MR-RUF DRAM HBM
- 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV)
技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器
(HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
- 關鍵字：
存儲 DRAM MUF技術
- 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。 &n
- 關鍵字：
三星 HBM3E DRAM 人工智能
- 從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
- 關鍵字：
3D DRAM 存儲
- 據 IDC 預測，從 2021 年到 2027 年，作為數字孿生的新型物理資產和流程建模的數量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產行為中的關鍵要素數字化并非一種全新概念，但數字孿生技術從精確傳感到實時計算，再到將海量數據轉為深度洞察，從多方面進一步推動了設備和運營系統優化，從而實現擴大規模并縮短產品上市時間。此外，啟用人工智能/機器學習 (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產品缺陷，實現出色的整體設備效率 (OEE)。當我們了解了上述需求的復雜性和面臨的挑戰，就能意識到內存與存儲對于實現數字孿
- 關鍵字：
數字孿生 DRAM 機器學習
- 三星稱其已經在美國硅谷開設了一個新的內存研發（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優勢。三星去年9月推出了業界首款且容量最高的32 Gb
- 關鍵字：
三星 內存 DRAM 芯片 美光
- 韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉，考慮在第一季增產部分特殊DRAM，市場擔心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產提價共識，恐不利后續DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現較大盤弱勢。惟業界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
- 關鍵字：
存儲器 DRAM TrendForce
- TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續領漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認為持續性減產仍有其必要，以維持存儲器產業的供需平衡。PC
DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿足，同時買方預期DDR4價格會持續上漲，帶動買方拉貨動能延續，然受到機種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會擴大。不過，由于DDR4及DDR5的售價均尚未達到原廠目標，加上買方仍可接受第一季續漲，故預估整體PC
- 關鍵字：
存儲廠商 DRAM TrendForce
- 1月1日消息，據供應鏈最新消息稱，SSD產品九個季度以來首次上漲，而廠商擬2024年1-3月后持續要求漲價。數據顯示，2023年10-12月期間SSD代表性產品TLC 256GB批發價為每臺25.5美元左右、容量較大的512GB價格為每臺48.5美元，皆較前一季度（2023年7-9月）上漲9%，也都是九個季度以來（2021年7-9月以來）首度上漲。自2023下半年以來，存儲芯片價格一直在上漲。雖然DRAM價格上漲較為溫和，約20%，但NAND閃存價格在過去兩個月飆升了60%-70%。調研機構TrendFo
- 關鍵字：
SSD 漲價 DRAM
- 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車半導體行業將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業大趨勢下，到2028年，該數字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術變革的主要驅
- 關鍵字：
汽車電子 半導體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
- IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
- 關鍵字：
存儲 DRAM NAND Flash
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產規劃依然穩健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
- 關鍵字：
存儲 DRAM NAND Flash
3d dram介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3d dram!
歡迎您創建該詞條，闡述對3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
